英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，厚度仅 20μm

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英飞凌在半导体制造领域再度引发轰动，成功推出全球最薄的硅功率晶圆。这一突破性成果标志着英飞凌在功率半导体技术上达到了新的高度。

此款晶圆直径达 300mm，厚度仅为 20μm，仅为头发丝的四分之一，相比当前先进的 40 - 60μm 晶圆厚度减少了一半。这一突破不仅降低了基板电阻，减少了功率损耗，还优化了功率系统的效率。

英飞凌在处理和加工这种超薄晶圆时，克服了诸多技术障碍。工程师们创新出独特的晶圆研磨方法，解决了晶圆翘曲度和分离等难题，确保了后端装配工艺的稳定性和可靠性。

这种新型超薄晶圆技术广泛适用于多种领域，如 AI 数据中心、消费、电机控制和计算等。与传统晶圆相比，它显著提升了能效、功率密度和可靠性。

英飞凌凭借此技术进一步巩固了在行业中的领先地位，其电源与传感系统事业部总裁 Adam White 指出，这推动了以节能方式为 AI 服务器配置提供动力的目标。



随着 AI 数据中心能源需求上升，能效愈发重要，预计英飞凌的 AI 业务收入未来两年内将达 10 亿欧元。

该技术已应用于集成智能功率级（直流 - 直流转换器）并交付给首批客户，英飞凌还拥有相关强大专利组合。未来三到四年内，传统晶圆技术有望被替代，英飞凌将凭借全面的产品和技术组合，持续推动行业发展。