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[软文杂谈] 嵌入式存储有哪些特性?

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发表于 10-22 22:22:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
  威固认为嵌入式存储的低工作电压特性使其非常适用于IoT应用:
  嵌入式存储有哪些特性?
  IoT应用需要低电压读/写操作。即使编程/擦除操作需要高电压,该过程对用户来说也是透明的,这是因为闪存宏从用户接收内核/IO电压并使用内部电荷泵将其升高到编程和擦除操作所需的高电压。因此,可以立即将嵌入式存储用于低功耗IoT应用。
  嵌入式存储支持EEPROM功能:
  传统的EEPROM架构支持字节写操作,因而常常被需要频繁更新数据的应用程序所用。通常,嵌入式存储是按一定规则排列的一组存储单元,又称为扇区。扇区需要在写入新数据前完全擦除。幸运的是,我们可以使用SRAM缓冲器在整个嵌入式存储区的一小部分上模拟EEPROM功能,既简单并且对用户透明。
  这经常让人们误认为嵌入式存储不能满足EEPROM耐用性要求。然而,EEPROM的耐擦写次数通常可达到100万次。过去,大多数MCU和智能卡应用所要求的耐擦写次数均低于10万次,但近来诸如SIM卡等应用的要求越发严格,耐擦写次数需达到50万次(典型值)。为了支持这一要求,我们通过第三代SuperFlash技术(ESF3)提供比前两代技术更好的耐擦写特性,并且大量的数据显示,第三代技术能够满足这些应用所要求的50万次耐擦写次数。
  嵌入式存储是可以扩展的  :
  十年以前,纷纷流传嵌入式存储无法突破90nm以下节点,理由是存储单元扩展面临诸多困难和挑战。可如今嵌入式存储已发展到28nm级,因此证明上述看法是错误的。现在面临的挑战是将嵌入式存储迈入FinFet工艺时代。不过,诸如Samsung和GLOBALFOUNDRIES等代工厂正专注于平面22 nm技术节点(甚至更小)的FDSOI技术,可能会使嵌入式存储的使用寿命比28nm节点更长。
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